Propiedades estructurales y térmicas del compuesto semiconductor In0,8Mn0,2Sb
Palabras clave:
antimoniuro de indio y manganeso, síntesis por fusión directa, difracción de rayos X en polvo, Análisis Térmico Diferencial (ATD)Resumen
Un lingote policristalino de In0,8 Mn0,2 Sb se sintetizó mediante la fusión directa y posterior enfriamiento controlado de las cantidades estequiométricas de los elementos constituyentes en una cápsula de cuarzo grafitada por pirólisis y sellada al vacío. El análisis del patrón de difracción de Rayos X en polvo mostró la presencia de una fase cúbica a temperatura ambiente y la existencia de fases secundarias minoritarias. Se utilizó el programa Fullprof para la indexación del patrón de difracción y para calcular el parámetro de red, dando a = 6.439631 Å y volumen de celda V = 267.04 Å3. Las temperaturas de transición de fase se obtuvieron de medidas de Análisis Térmico Diferencial (ATD) llevadas a cabo sobre muestras en polvo en capsulas de cuarzo selladas al vacío. El compuesto estudiado funde incongruentemente entre 479 ºC y 519 ºC.
